Le procédé RIE (Reactive Ion Etching) est un procédé de gravure sèche utilisé principalement dans la fabrication électronique et microélectronique pour le nettoyage ou l'activation rapide des surfaces, l'incinération de laque photosensible ou la structuration de circuits sur des tranches de semi-conducteurs.

Pour ce faire, on utilise généralement ce que l'on appelle un réacteur à plaques planes, comme le montre schématiquement la figure 1. Si une tension alternative à haute fréquence est appliquée aux électrodes sous une dépression de l'ordre de 10-2 à 10-1 mbar, une décharge de gaz à basse pression (plasma) est ainsi amorcée. En raison de la mobilité différente des particules de gaz chargées dans le plasma (ions lourds, électrons légers), un potentiel négatif, appelé potentiel d'auto-biais, s'accumule sur la plus petite électrode. Celui-ci se situe dans une plage de quelques 10 à quelques 100 volts.

Sur les substrats (wafers, circuits imprimés, etc.) qui se trouvent sur la plus petite électrode, deux effets se produisent en cas d'utilisation des bons gaz de processus :

1. L'érosion chimique de la surface du substrat ou des impuretés présentes par la réaction avec des particules réactives du plasma (Plasma Etching)
2. L'ablation physique par transfert direct d'impulsions d'ions accélérés dans le champ électrique sur la surface (Sputter Etching)

Le processus RIE combine les avantages des deux effets - sélectivité élevée, taux de gravure élevé et enlèvement anisotrope.