Demande de produit
Le procédé RIE (reactive ion etching) est un procédé de gravure à sec utilisé dans la fabrication électronique et microélectronique. Les applications sont par exemple le nettoyage rapide et ultra-rapide de surfaces, l'activation de surface, le décapage de photoréserves et la gravure de semi-conducteurs
Pour ce procédé, on utilise généralement un réacteur à plaques planes (voir figure 1). Après avoir généré une atmosphère gazeuse à une pression de 10-2 à 10-1 mbar, la décharge gazeuse (plasma) est allumée par l'application d'une tension RF. En raison de la mobilité différente des électrons légers et des ions lourds dans le champ électrique, un potentiel continu négatif s'accumule au niveau de la plus petite électrode (porte-substrat). Ce potentiel d'autopolarisation est généralement d'environ 10 à quelques centaines de volts.